Химики ННГУ готовятся к синтезу высокочистого компонента для отечественной микроэлектроники

22 апреля 2025 года, 15:13

Коллектив учёных НИИ химии ННГУ стал одним из победителей конкурса на получение грантов по выполнению прикладных научных исследований в рамках стратегических инициатив президента РФ по производству полупроводниковых лазеров, микродисплеев и фотоприемных матриц. Об этом сообщил заведующий научно-технической лабораторией технологии высокочистых материалов НИИ химии ННГУ Леонид Мочалов.

Нижегородские химики займутся разработкой технологии и синтезом высокочистого поликристаллического арсенида галлия (GaAs), необходимого для выращивания монокристаллического GaAs — базового материала СВЧ-электроники и лазерной техники.

По словам Леонида Мочалова, на сегодняшний день собственные технологии получения высокочистого поликристаллического арсенида галлия в России отсутствуют.

«Проект направлен на укрепление экономического суверенитета страны и импортозамещение в области микроэлектроники за счет создания отечественных технологий получения основных высоко и особо чистых веществ», — отметил руководитель проекта.

Работы в рамках гранта будут проводиться в специально созданной лаборатории технологии высокочистых материалов ННГУ. Трёхлетнее финансирование проекта составит 95 млн рублей.

По данным Минпромторга РФ, потребность в высокочистом арсениде галлия сегодня составляет 500 кг/год.

Добавим, что реализация данного проекта отвечает задачам нацпроекта «Новые материалы и химия», реализуемого в стране по инициативе президента Владимира Путина.